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11.07.2018 V-NAND v5: Samsungs 5. Gen 3D?NAND nutzt erstmals Toggle DDR4
Samsung hat den Start der Massenproduktion der fünften Generation 3D-NAND (V-NAND v5) verkündet. Durch 50 Prozent mehr Zellschichten steigt die Speicherdichte. Dank Toggle-DDR4-Interface wird der Durchsatz erhöht. Zudem verspricht Samsung niedrigere Latenzen und eine höhere Produktivität.
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